08.04.21

[Домашняя]

В настоящее время скопилось много импортной аппаратуры, которая заменена более современной. Выбросить - это проще всего, однако, радиолюбители могут также использовать импортные радиоэлементы для своих конструкций. Оксидные конденсаторы, конденсаторы постоянной емкости, диоды и резисторы, кварцевые резонаторы радиолюбители часто используют, а с биполярными транзисторами дело сложнее. Мало информации о цоколевках импортных транзисторов. Иногда на печатных платах указывается информация “е”, “b”, “с”, или только “е” - это полезная информация, и при выпаивании транзисторов необходимо воспользоваться ею. Проводимость транзистора, то есть “рпр” или “прп”, легко определить с помощью омметра, “прозвонкой” с базы на коллектор и эмиттер. Этим же способом и определяется база в транзисторах. При измерениях необходимо исходить из эквивалентных схем транзисторов, представленных на рис. 1. Для начинающих радиолюбителей подсказка: транзисторы “рпр” проводимости, переход база-коллектор и база-эмиттер покажут малое сопротивление, если к базе будет приложен отрицательный потенциал; транзисторы “прп” проводимости, переход база-коллектор и база-эмиттер покажут малое сопротивление, если к базе будет приложен положительный потенциал. Таким образом определить базу в транзисторе и проводимость транзистора довольно просто. Если нет подсказки на печатных платах, или транзисторы новые, то определить, где коллектор, а где эмиттер, значительно сложнее. Автор для этого пользуется следующей методикой. Изготовлена схема, которая становится генератором низкой частоты (ГНЧ), с частотой генерации, порядка 400 Гц, при установке испытуемого транзистора. Принципиальная электрическая схема ГНЧ приведена на рис. 2.

В данном ГНЧ используется схема с общей базой, так как сигнал положительной обратной связи заводится в цепь эмиттера. Итак, приведенным выше способом выяснили, где база у испытуемого транзистора и выяснили также проводимость транзистора. Допустим, определили, что проводимость испытуемого транзистора “прп”, тогда переключатель SA1 устанавливаем в положение “прп” и подключаем испытуемый транзистор к схеме генератора. Потенциометр R4 устанавливаем в положение “0”. Подаем питание на ГНЧ переключателем SA2. Предположим, что сразу получим генерацию. Изменяя глубину положительной обратной связи с помощью потенциометра R4, который при большем сопротивлении вводит отрицательную обратную связь, добиваемся прекращения генерации и фиксируем положение ручки потенциометра, относительно шкалы потенциометра. Шкала отградуирована в кОм - 0; 0,1; 02...1,0. Предположим, что генерация прекращается, если вращать ручку потенциометра на цифре 0,3 (всего 11 делений). После этого выключаем подачу питания на схему, устанавливаем потенциометр R4 в положение “0”, выводы транзистора - коллектор и эмиттер, меняем местами и подаем питание на схему - проводим еще один эксперимент. Оказалось, что во втором эксперименте генерация прекращается на цифре 0,6 - это означает, что введена глубина отрицательной обратной связи больше, чем в первом эксперименте. Таким образом, испытуемый транзистор имеет большее усиление во втором случае - это и будет правильное подключение транзистора к схеме генератора; таким образом и выяснили, где у данного транзистора эмиттер, а где коллектор. В первом случае был инверсный режим работы транзистора, а во втором случае - активный режим работы. По эквивалентной схеме, транзистор (см. рис. 1) - симметричный прибор, однако, при изготовлении, коллектор и эмиттер сделаны по разной технологии, поэтому в инверсном и активном режиме усиление транзистора разное и, как правило, в активном режиме транзистор дает большее усиление. В некоторых транзисторах в инверсном режиме в данной схеме вообще нет генерации, а в активном режиме есть генерация. Это вполне допустимо. В процессе пользования этим методом было выявлено, что генератор не “запускается” и в активном режиме, если коэффициент усиления по постоянному току h21э у транзистора менее 15. Может случиться, что в первом эксперименте “попадем” на активный режим, а во втором - на инверсный: тогда фиксируем, где эмиттер, а где коллектор по первому эксперименту. Для транзисторов “рпр” проводимости на схему подается обратное напряжение, то есть переключатель SA1 необходимо установить в положение “рпр”. Катушка L1 собрана с применением ферритового сердечника типа Б22 (µ = 2000) с зазором в виде бумажного кольца толщиной 0,2 мм. Обмотка I содержит 1575 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,08 мм, обмотка II содержит 315 витков провода ПЭВ-2 диаметром 0,08 мм. Катушка может иметь и другие данные. Частота генерации может быть и другой - это не имеет значения. Если нет информации о “начале” обмоток, тогда при отсутствии генерации на вторичной обмотке необходимо поменять провода местами. В Интернете можно найти аналог испытуемому транзистору, но это не обязательно - можно просто использовать его. Автор использует импортные транзисторы в своих конструкциях. Для примера на рис. 3 приведено 24 типа импортных транзисторов (какие были в автора в наличии) и их цоколевки, определенные предложенным методом.

Зная цоколевку и проводимость транзистора, возможно, провести измерение его коэффициента усиления h21э с помощью испытателя маломощных транзисторов, схема которого приведена в [1]. Полезность данного метода двойная: узнаем, где эмиттер и коллектор у данного транзистора и убеждаемся в его исправности, если есть генерация. В устройстве используются высокоомные телефоны типа ТОН2М, переделанные (в заводском варианте телефоны включены последовательно, а в данном случае - параллельно), как это показано на схеме рис. 2. Схема питается напряжением ±9 В от батареи типа “Крона” и потребляет ток порядка 12 мА. Допускается подавать на схему напряжение ±12 В. Ясно, что с помощью приведенной схемы, возможно, также проверять работоспособность отечественных транзисторов малой и средней мощности.

Радиолюбитель №1 2018г стр. 36